EUV-Lithographie
Projektleiter
Prof. Dr. Thomas Wilhein
Projektmitarbeiter
Dipl.-Phys. Marek Wieland
Kooperationspartner
Prof. Dr. W. Sandner, Dr. H. Stiel, U. Vogt (Max-Born-Institut Berlin)
Mittelgeber
Unterauftrag im BMBF-Forscherverbund "Vordringliche Maßnahme zu Laser- und entladungsbasierten EUV-Strahlenquellen"
Laufzeit
Feb/00 bis Feb/01
Kurzfassung
In wenigen Jahren wird die Halbleiterlithografie mit EUV-Strahlung bei 13 nm Wellenlänge arbeiten. Eine mögliche Quelle zur Erzeugung dieser Strahlung sind laserinduzierte Plasmen, die erzeugt werden, indem ein gepulster Laserstrahl auf eine geeignetes Material ("Target") fokussiert wird. Verschiedene Targetsysteme stehen zur Verfügung, wobei dieses Projekt dünne Flüssigkeitsstrahlen (Durchmesser etwa 30 µm) untersucht. Insbesondere im Hinblick auf hochrepitierende Laser mit hoher mittlerer Leistung, mit denen die für die Lithografie notwendigen Leistungen im EUV-Bereich erzeugt werden sollen, wird die Eignung der Flüssigkeitsstrahlen untersucht und die vom Plasma emittierte EUV-Strahlung absolut vermessen.
Publikationen
U. VOGT, H. STIEL, I. WILL, M. WIELAND, T. WILHEIN, P. V. NICKLES, W. SANDNER
Scaling-up a liquid water jet laser plasma source to high average power for Extreme Ultraviolet Lithography
In: E. A. Dobisz (ed.) "Emerging Lithographic Technologies V", SPIE 4343 (2001)
